SIDR870ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SIDR870ADP-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.07 |
10+ | $1.858 |
100+ | $1.4935 |
500+ | $1.2271 |
1000+ | $1.0167 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8DC |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 125W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2866 pF @ 50 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 95A (Tc) |
Grundproduktnummer | SIDR870 |
SIDR870ADP-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIDR870ADP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SIDR870ADP-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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